STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 20 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 SCTWA20N120

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.189 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
€ 700,20
€ 23,34 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 868,25
€ 28,942 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 700,20
€ 23,34 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 868,25
€ 28,942 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.189 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC

