STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTWA35N65G2V

Κωδικός Προϊόντος της RS: 204-3957Κατασκευαστής: STMicroelectronicsΚωδικός Κατασκευαστή: SCTWA35N65G2V
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCTWA35N65G2V

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.072 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 700,20

€ 23,34 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 868,25

€ 28,942 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTWA35N65G2V

30

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 30
30€ 700,20
60€ 1.400,40
90€ 2.100,60
120€ 2.800,80
150€ 3.501,00
180€ 4.201,20
210€ 4.901,40
240€ 5.601,60
270€ 6.301,80
300€ 7.002,00
330€ 7.702,20
360€ 8.402,40
390€ 9.102,60
420€ 9.802,80
450€ 10.503,00

€ 700,20

€ 23,34 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 868,25

€ 28,942 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α

STMicroelectronics SCTWA35N65G2V SiC N-Channel SiC Power Module, 45 A, 650 V, 3-Pin HiP247 SCTWA35N65G2V

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

30

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 30
30€ 700,20
60€ 1.400,40
90€ 2.100,60
120€ 2.800,80
150€ 3.501,00
180€ 4.201,20
210€ 4.901,40
240€ 5.601,60
270€ 6.301,80
300€ 7.002,00
330€ 7.702,20
360€ 8.402,40
390€ 9.102,60
420€ 9.802,80
450€ 10.503,00

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCTWA35N65G2V

Package Type

Hip247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.072 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more