STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Power MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 2-Pin TO-252 SGT350R70GTK

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
P-Channel
Product Type
Power MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
700V
Series
G-HEMT
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface Mount
Pin Count
2
Maximum Drain Source Resistance Rds
350mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
47W
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.2mm
Height
2.4mm
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1,38
€ 1,38 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,71
€ 1,71 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 1,38
€ 1,38 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,71
€ 1,71 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
P-Channel
Product Type
Power MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
700V
Series
G-HEMT
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface Mount
Pin Count
2
Maximum Drain Source Resistance Rds
350mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
1.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
47W
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
6.2mm
Height
2.4mm
Χώρα Προέλευσης
China

