Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-263
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 12,65
€ 2,53 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,69
€ 3,137 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 12,65
€ 2,53 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,69
€ 3,137 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,53 | € 12,65 |
| 50 - 245 | € 2,09 | € 10,45 |
| 250 - 495 | € 1,62 | € 8,10 |
| 500+ | € 1,46 | € 7,30 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
100A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-263
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12.6nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.