STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MDmesh Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Package Type
TO-263
Series
STB11NM80
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.4Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
43.6nC
Forward Voltage Vf
0.86V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
9.35 mm
Height
4.37mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 6.420,00
€ 6,42 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 7.960,80
€ 7,961 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 6.420,00
€ 6,42 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 7.960,80
€ 7,961 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MDmesh Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
11A
Maximum Drain Source Voltage Vds
800V
Package Type
TO-263
Series
STB11NM80
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.4Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
43.6nC
Forward Voltage Vf
0.86V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
9.35 mm
Height
4.37mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No

