STMicroelectronics MDmesh M2 N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STB13N60M2

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh M2
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 84,25
€ 3,37 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 104,47
€ 4,179 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
€ 84,25
€ 3,37 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 104,47
€ 4,179 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 3,37 | € 16,85 |
| 50 - 120 | € 3,08 | € 15,40 |
| 125 - 245 | € 2,82 | € 14,10 |
| 250+ | € 2,71 | € 13,55 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
MDmesh M2
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Width
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

