STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Package Type
TO-263
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
330W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
85nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
10.4 mm
Height
4.6mm
Length
10.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 5,27
€ 5,27 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,53
€ 6,53 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
1
€ 5,27
€ 5,27 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,53
€ 6,53 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Package Type
TO-263
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
330W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
85nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
10.4 mm
Height
4.6mm
Length
10.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

