
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
9.35mm
Standards/Approvals
No
Width
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 22,95
€ 4,59 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 28,46
€ 5,692 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 22,95
€ 4,59 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 28,46
€ 5,692 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 4,59 | € 22,95 |
| 50 - 120 | € 4,20 | € 21,00 |
| 125+ | € 3,50 | € 17,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
290mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
9.35mm
Standards/Approvals
No
Width
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.