Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Width
9.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
4.37mm
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,47
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,063
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1000
€ 2,47
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,063
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Width
9.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
4.37mm
Χώρα Προέλευσης
China