STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 17 A, 500 V, 3-Pin D2PAK STB23NM50N

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
MDmesh
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Length
10.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Width
10.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
4.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 13,68
€ 6,84 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,96
€ 8,48 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
2
€ 13,68
€ 6,84 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,96
€ 8,48 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
MDmesh
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Length
10.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Width
10.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
4.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος

