STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
190mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
10.4 mm
Height
4.6mm
Length
10.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 16,28
€ 8,14 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,19
€ 10,09 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
2
€ 16,28
€ 8,14 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,19
€ 10,09 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
190mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
10.4 mm
Height
4.6mm
Length
10.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

