STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-263
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
115W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Length
10.4mm
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1.120,00
€ 1,12 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.388,80
€ 1,389 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 1.120,00
€ 1,12 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.388,80
€ 1,389 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-263
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
115W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
40nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Length
10.4mm
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

