STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-263
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1.330,00
€ 1,33 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.649,20
€ 1,649 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 1.330,00
€ 1,33 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.649,20
€ 1,649 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
50A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-263
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
18mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
44.5nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

