STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Width
9.35 mm
Length
10.4mm
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 1.850,00
€ 1,85 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.294,00
€ 2,294 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 1.850,00
€ 1,85 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.294,00
€ 2,294 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
5.8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-263
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Forward Voltage Vf
1.6V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
46.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Width
9.35 mm
Length
10.4mm
Height
4.6mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

