STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-263
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
16 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 4,28
€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,31
€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 4,28
€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,31
€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-263
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
7mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
16 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
9.35 mm
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

