STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-252
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 12,80
€ 2,56 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,87
€ 3,174 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
€ 12,80
€ 2,56 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,87
€ 3,174 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-252
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
120W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
61nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

