STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD10NF10T4

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Width
6.2mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1.700,00
€ 0,68 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.108,00
€ 0,843 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 1.700,00
€ 0,68 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.108,00
€ 0,843 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Width
6.2mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος

