Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-252
Series
STD11N60M6
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
500mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
10.3nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
8A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-252
Series
STD11N60M6
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
500mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
10.3nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No


