Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
250V
Package Type
TO-252
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
165mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
6.2 mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Height
2.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 11,35
€ 2,27 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 14,07
€ 2,815 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 11,35
€ 2,27 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 14,07
€ 2,815 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,27 | € 11,35 |
| 25 - 45 | € 2,19 | € 10,95 |
| 50 - 120 | € 2,01 | € 10,05 |
| 125 - 245 | € 1,83 | € 9,15 |
| 250+ | € 1,78 | € 8,90 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
17A
Maximum Drain Source Voltage Vds
250V
Package Type
TO-252
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
165mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.5nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
6.2 mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Height
2.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


