STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-252
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 2.550,00
€ 1,02 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.162,00
€ 1,265 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 2.550,00
€ 1,02 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.162,00
€ 1,265 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-252
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

