STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-252
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
17mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 3.775,00
€ 1,51 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.681,00
€ 1,872 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 3.775,00
€ 1,51 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.681,00
€ 1,872 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-252
Series
STripFET II
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
17mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
80W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
15 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

