STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD35NF06T4

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.2mm
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 2.100,00
€ 0,84 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.604,00
€ 1,042 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 2.100,00
€ 0,84 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.604,00
€ 1,042 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.2mm
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος

