STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD35NF06T4

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 10,20
€ 2,04 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,65
€ 2,53 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 10,20
€ 2,04 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,65
€ 2,53 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
80 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος

