STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Series
STripFET II
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
16mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
49nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
6.2 mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 2.675,00
€ 1,07 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.317,00
€ 1,327 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 2.675,00
€ 1,07 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.317,00
€ 1,327 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Series
STripFET II
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
16mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
49nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
6.2 mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

