Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-252
Series
STripFET F3
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
33.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 14,25
€ 2,85 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 17,67
€ 3,534 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 14,25
€ 2,85 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 17,67
€ 3,534 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
55V
Package Type
TO-252
Series
STripFET F3
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
33.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.2 mm
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


