Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
ISOTOP
Mount Type
Panel
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
130mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
307.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
460W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
25.5 mm
Length
38.2mm
Height
9.1mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 454,50
€ 45,45 Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 563,58
€ 56,358 Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) Με Φ.Π.Α
10
€ 454,50
€ 45,45 Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 563,58
€ 56,358 Μονάδας (Σε μία ράγα των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 45,45 | € 454,50 |
| 50 - 90 | € 44,06 | € 440,60 |
| 100 - 190 | € 39,44 | € 394,40 |
| 200 - 490 | € 37,35 | € 373,50 |
| 500+ | € 35,21 | € 352,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
ISOTOP
Mount Type
Panel
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
130mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
307.5nC
Maximum Power Dissipation Pd
460W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±30 V
Minimum Operating Temperature
-65°C
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
25.5 mm
Length
38.2mm
Height
9.1mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος


