Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
ISOTOP
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
460 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
310 nC @ 10 V
Width
25.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
38.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.1mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 55,91
€ 55,91 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 69,33
€ 69,33 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 55,91
€ 55,91 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 69,33
€ 69,33 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
|---|---|
| 1 - 9 | € 55,91 |
| 10 - 49 | € 52,41 |
| 50 - 99 | € 50,77 |
| 100 - 199 | € 45,45 |
| 200+ | € 43,02 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Package Type
ISOTOP
Mounting Type
Screw Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
460 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
310 nC @ 10 V
Width
25.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
38.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.1mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


