STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel FDmesh II Power MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
FDmesh II Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220FP
Series
FDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.45Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
30nC
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 156,50
€ 3,13 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 194,06
€ 3,881 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 156,50
€ 3,13 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 194,06
€ 3,881 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
FDmesh II Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
10A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220FP
Series
FDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.45Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
30nC
Maximum Power Dissipation Pd
90W
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
150°C
Width
4.6 mm
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

