Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 3,47
€ 3,47 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,30
€ 4,30 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 3,47
€ 3,47 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,30
€ 4,30 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 4 | € 3,47 |
5 - 9 | € 3,37 |
10 - 24 | € 3,05 |
25 - 49 | € 2,79 |
50+ | € 2,71 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
16.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος