Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-220
Series
SiC MOSFET
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
330mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.7nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
16mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics N-channel 900 V, 280 mO typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package is based on an innovative proprietary vertical structure.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 369,50
€ 7,39 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 458,18
€ 9,164 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 369,50
€ 7,39 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 458,18
€ 9,164 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
15A
Maximum Drain Source Voltage Vds
900V
Package Type
TO-220
Series
SiC MOSFET
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
330mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
30W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.7nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
16mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics N-channel 900 V, 280 mO typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package is based on an innovative proprietary vertical structure.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
