STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF26NM60N

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Height
16.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,25
€ 8,25 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,23
€ 10,23 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
€ 8,25
€ 8,25 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,23
€ 10,23 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Height
16.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος