STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF26NM60N

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
165mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
35W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
60nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 8,25
€ 8,25 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,23
€ 10,23 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
€ 8,25
€ 8,25 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,23
€ 10,23 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
165mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
35W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
60nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
16.4mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος

