STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
16.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 287,00
€ 5,74 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 355,88
€ 7,118 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 287,00
€ 5,74 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 355,88
€ 7,118 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-220
Series
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
16.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

