Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
30A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
200W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
14.8mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
JEDEC Standard JESD97
Width
15.75mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 126,40
€ 6,32 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 156,74
€ 7,837 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
20
€ 126,40
€ 6,32 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 156,74
€ 7,837 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
20
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 6,32 | € 12,64 |
| 100 - 198 | € 5,74 | € 11,48 |
| 200+ | € 4,99 | € 9,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
IGBT
Maximum Continuous Collector Current Ic
30A
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo
600V
Maximum Power Dissipation Pd
200W
Package Type
TO-247
Mount Type
Through Hole
Channel Type
Type N
Pin Count
3
Switching Speed
1MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT
2.5V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO
±20 V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
14.8mm
Height
20.15mm
Standards/Approvals
JEDEC Standard JESD97
Width
15.75mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
