
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
H2PAK
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 12,80
€ 6,40 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,87
€ 7,936 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 12,80
€ 6,40 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,87
€ 7,936 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
2
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 6,40 | € 12,80 |
| 20 - 98 | € 5,72 | € 11,44 |
| 100 - 198 | € 5,19 | € 10,38 |
| 200+ | € 4,52 | € 9,04 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
H2PAK
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
21mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
193nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος