
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Package Type
H2PAK
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.8mm
Standards/Approvals
No
Height
4.8mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 11,06
€ 5,53 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,71
€ 6,857 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 11,06
€ 5,53 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,71
€ 6,857 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
2
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,53 | € 11,06 |
| 20 - 98 | € 5,48 | € 10,96 |
| 100 - 198 | € 5,43 | € 10,86 |
| 200+ | € 5,17 | € 10,34 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Package Type
H2PAK
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.8mm
Standards/Approvals
No
Height
4.8mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.