
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
15.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 109,60
€ 5,48 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 135,90
€ 6,795 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
€ 109,60
€ 5,48 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 135,90
€ 6,795 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 5,48 | € 10,96 |
| 100 - 198 | € 5,43 | € 10,86 |
| 200+ | € 5,17 | € 10,34 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
15.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος