
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Package Type
H2PAK
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.25mm
Standards/Approvals
No
Width
10.4mm
Height
4.8mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 132,60
€ 6,63 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 164,42
€ 8,221 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
€ 132,60
€ 6,63 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 164,42
€ 8,221 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 6,63 | € 13,26 |
| 100 - 198 | € 6,53 | € 13,06 |
| 200+ | € 5,74 | € 11,48 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET H7
Package Type
H2PAK
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
2.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
180nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
315W
Maximum Operating Temperature
175°C
Length
15.25mm
Standards/Approvals
No
Width
10.4mm
Height
4.8mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.