
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Package Type
H2PAK
Series
MDmesh
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.3nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
4.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 119,00
€ 5,95 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 147,56
€ 7,378 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
€ 119,00
€ 5,95 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 147,56
€ 7,378 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 5,95 | € 11,90 |
| 100 - 198 | € 5,85 | € 11,70 |
| 200+ | € 5,17 | € 10,34 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Package Type
H2PAK
Series
MDmesh
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
9Ω
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
29.3nC
Maximum Power Dissipation Pd
140W
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
150°C
Length
10.4mm
Height
4.8mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος