
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Package Type
H2PAK-2
Series
STH4N150
Mount Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10Ω
Channel Mode
MOSFET
Maximum Power Dissipation Pd
208W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35.1nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
N Channel Mosfet
Height
15.8mm
Length
10.4mm
Width
4.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 3.860,00
€ 3,86 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.786,40
€ 4,786 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 3.860,00
€ 3,86 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.786,40
€ 4,786 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 3,86 | € 3.860,00 |
| 2000 - 4000 | € 3,81 | € 3.810,00 |
| 5000+ | € 3,71 | € 3.710,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
2.6A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1500V
Package Type
H2PAK-2
Series
STH4N150
Mount Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10Ω
Channel Mode
MOSFET
Maximum Power Dissipation Pd
208W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
35.1nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
30V
Maximum Operating Temperature
150°C
Transistor Configuration
N Channel Mosfet
Height
15.8mm
Length
10.4mm
Width
4.7mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China