STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL110N10F7

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
60nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.35 mm
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 14,75
€ 2,95 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,29
€ 3,658 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 14,75
€ 2,95 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,29
€ 3,658 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
6mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
60nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.35 mm
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

