Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
140A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
6.15mm
Standards/Approvals
No
Width
5.2mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 19,70
€ 3,94 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 24,43
€ 4,886 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 19,70
€ 3,94 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 24,43
€ 4,886 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,94 | € 19,70 |
| 50 - 120 | € 3,60 | € 18,00 |
| 125+ | € 3,00 | € 15,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
140A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
2mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
125W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
55nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
6.15mm
Standards/Approvals
No
Width
5.2mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.