N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STMicroelectronics STL26N60DM6
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
PowerFLAT 8 x 8 HV
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 3,76
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,662
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 3,76
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,662
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
PowerFLAT 8 x 8 HV
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Width
8.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Χώρα Προέλευσης
China