STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
19mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
5.4 mm
Height
0.95mm
Length
6.35mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 3.930,00
€ 1,31 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.873,20
€ 1,624 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 3.930,00
€ 1,31 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4.873,20
€ 1,624 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
19mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
5.4 mm
Height
0.95mm
Length
6.35mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

