
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
19mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
6.35mm
Standards/Approvals
No
Width
5.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 17,80
€ 1,78 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 22,07
€ 2,207 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 17,80
€ 1,78 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 22,07
€ 2,207 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,78 | € 17,80 |
| 100 - 490 | € 1,20 | € 12,00 |
| 500 - 990 | € 0,99 | € 9,90 |
| 1000 - 2990 | € 0,94 | € 9,40 |
| 3000+ | € 0,91 | € 9,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
40V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
19mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
100W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
34nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
-20, +20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
6.35mm
Standards/Approvals
No
Width
5.4mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.