Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F3
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
50mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
70W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20.5nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
5.2 mm
Height
0.95mm
Length
6.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 5.250,00
€ 1,75 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6.510,00
€ 2,17 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 5.250,00
€ 1,75 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6.510,00
€ 2,17 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
20A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F3
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
50mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
70W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
20.5nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
5.2 mm
Height
0.95mm
Length
6.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.


