Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
94W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.35 mm
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 4.860,00
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6.026,40
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 4.860,00
€ 1,62 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6.026,40
€ 2,009 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
94W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
6.35 mm
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.


