Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
94W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Width
6.35mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 19,60
€ 1,96 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 24,30
€ 2,43 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 19,60
€ 1,96 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 24,30
€ 2,43 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,96 | € 19,60 |
| 100 - 490 | € 1,36 | € 13,60 |
| 500+ | € 1,12 | € 11,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET F7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
5.4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
94W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Width
6.35mm
Automotive Standard
No
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.