STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET II
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
312W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
172nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 9,30
€ 4,65 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,53
€ 5,766 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
2
€ 9,30
€ 4,65 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,53
€ 5,766 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Series
STripFET II
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
10.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.3V
Maximum Power Dissipation Pd
312W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
172nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Width
4.6 mm
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

