Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET F7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
160W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
13.6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 15,15
€ 3,03 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,79
€ 3,757 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 15,15
€ 3,03 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 18,79
€ 3,757 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,03 | € 15,15 |
| 50 - 245 | € 2,51 | € 12,55 |
| 250 - 495 | € 1,93 | € 9,65 |
| 500+ | € 1,75 | € 8,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
80A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
TO-220
Series
STripFET F7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
160W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
13.6nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Width
4.6mm
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.